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一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法

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摘要

本发明公开了一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法，首先通过先在富氮气氛下促进六方氮化硼晶体中形成B空位的受主能级，再通过Mg在六方氮化硼晶格中的替位掺杂，两者按顺序进行，进而增强六方氮化硼薄膜p型导电性能。

公开/公告号CN109518278A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人厦门大学;
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申请/专利号CN201811339108.8
发明设计人蔡端俊;王跃锦;刘国振;郝卓然;
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申请日2018-11-12
分类号C30B29/38(20060101);C30B25/00(20060101);C30B31/08(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/455(20060101);
代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;
代理人张松亭;陈丹艳
地址 361000 福建省厦门市思明南路422号
入库时间 2024-02-19 07:28:30

1. 一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法 [P] . 中国专利： CN109518278B . 2020.12.08
2. 一种富氮气氛增强氮化硼薄膜p型导电掺杂的方法 [P] . 中国专利： CN109518278A . 2019-03-26
3. METHOD FOR SYNTHESIZING EPITAXIAL P-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM GROWTH BY CO-DOPING OF ? GROUP ELEMENTS AND NITROGEN [P] . 韩国专利： KR100794755B1 . 2008-01-15

机译：共掺杂合成P型氧化锌薄膜薄膜生长的方法。组元素和氮
4. P-TYPE CONDUCTIVE SB DOPED SNO₂ THIN FILM, TIN OXIDE HOMOGENOUS PN JUNCTION CONTAINING SAME, AND METHODS FOR PREPARATION THEREOF [P] . 世界知识产权组织专利： WO2013117018A1 . 2013-08-15

机译： P型导电SB掺杂的SNO _{2 薄膜，氧化锡均质PN结包含相同的薄膜及其制备方法}
5. METHOD FOR SYNTHESIZING EPITAXIAL P-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM GROWTH BY CO-DOPING OF III GROUP ELEMENTS AND NITROGEN [P] . 韩国专利： KR20080003509A . 2008-01-08

机译： III族元素与氮共掺杂合成表观P型氧化锌薄膜生长的方法