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一种基于PDMS软掩模的表面等离子体光刻方法

摘要

本发明公开了一种基于PDMS(Polydimethylsiloxane)软掩模的表面等离子体光刻方法。该光刻方法利用的光刻系统由四部分构成:PDMS软掩模,薄银层,光刻胶以及基底。将传统表面等离子体光刻系统中的硬掩模改进为PDMS透明软掩模,发明了一种基于PDMS软掩模的特征尺寸可控的表面等离子体光刻系统。相比传统表面等离子体光刻方法,该方法利用PDMS透明软掩模和表面等离子体形成了高对比度的纳米量级电场能量分布,获得了经济、重复利用率高的表面等离子体光刻系统,为实用化纳米结构的制作提供了途径。

著录项

  • 公开/公告号CN109212888A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN201811136763.3

  • 发明设计人 何传王;黄鹏;董小春;范斌;

    申请日2018-09-28

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2024-02-19 07:15:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/22 申请日:20180928

    实质审查的生效

  • 2019-01-15

    公开

    公开

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