公开/公告号CN109167591A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 派恩杰半导体(杭州)有限公司;
申请/专利号CN201811343194.X
申请日2018-11-13
分类号
代理机构
代理人
地址 310053 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
入库时间 2024-02-19 06:53:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/081 申请日:20181113
实质审查的生效
2019-01-08
公开
公开
机译: 一种评估绝缘栅型晶体管的方法,一种制造绝缘栅型晶体管的方法,一种用于评估绝缘栅型晶体管的特性的装置以及根据特征记录程序的计算机读取器
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 绝缘栅双极晶体管器件,包括一个串联的绝缘栅场效应晶体管,该晶体管串联一个具有经修正的漏极接触的结型场效应晶体管