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周围包裹的外延结构和方法

摘要

一种方法包括形成从衬底延伸的两个鳍,每个鳍具有沟道区和两个源极/漏极(S/D)区;形成在相应的沟道区处接合每个鳍的栅极堆叠件;在栅极堆叠件的顶面和侧壁表面上方且在鳍的S/D区的顶面和侧壁表面上方沉积一个或多个介电层;以及对一个或多个介电层实施蚀刻工艺。该蚀刻工艺同时在栅极堆叠件的顶面上方产生聚合物层,导致鳍的S/D区的顶面和侧壁表面暴露,并且栅极堆叠件的大部分侧壁表面仍被一个或多个介电层覆盖。该方法还包括在鳍的S/D区的顶面和侧壁表面上方生长一个或多个外延层。本发明实施例涉及周围包裹的外延结构和方法。

著录项

  • 公开/公告号CN109427670A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201711276669.3

  • 申请日2017-12-06

  • 分类号H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;李伟

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2024-02-19 06:50:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8234 申请日:20171206

    实质审查的生效

  • 2019-03-05

    公开

    公开

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