提升硅纳米线气敏性能的改性方法及其气敏传感器

摘要

本发明公开提升硅纳米线气敏性能的改性方法及其气敏传感器，首先使用氢氟酸水溶液进行硅片表面改性，再进行金属辅助化学刻蚀硅纳米线，最后制作双顶点电极形成气敏传感器。本发明通过氢氟酸水溶液处理使得形成顶端聚合结构的多孔性硅纳米线气敏传感器，在双顶点电极间形成了更多条导电通路，使更多的多孔性硅纳米线参与气敏反应，进而在室温下检测超低浓度的氮氧化物气体，具有高灵敏度、良好选择性的优点。该方法具有设备简单、操作方便、可重复性好、成本低廉等优点，可以更好的实现工业化生产。