多孔性硅纳米线结构改性及其气敏性能研究

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第1章绪论

1.1 课题的研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 气敏传感器发展方向

1.2.2 多孔性硅纳米线制备的研究现状

1.2.3 硅纳米线在气敏传感器领域的研究现状

1.2.4 对潮湿环境下气敏传感器的研究现状

1.2.5 超疏水材料概述

1.2.6 超疏水在硅基材料应用的研究现状

1.3 本论文主要的研究内容及结构安排

第2章多孔性硅纳米线刻蚀基底选取及其气敏性能研究

2.1 实验试剂及设备

2.2 多孔性硅纳米线阵列的制备

2.2.1 多孔性硅纳米线阵列制备原理

2.2.2 硅片清洗及多孔性硅纳米线阵列制备流程

2.2.3 多孔性硅纳米线阵列最佳基底的探究及表征分析

2.3 本章小结

第3章顶端聚集型多孔性硅纳米线阵列制备及其气敏性能研究

3.1 制备原理及工艺流程

3.1.1 制备原理

3.1.2 工艺流程

3.2 顶端聚集型多孔性硅纳米线阵列的表征和分析

3.2.1 SEM表征

3.2.2 红外分析

3.3 顶端聚集型多孔性硅纳米线阵列的气敏研究

3.3.1 气敏响应分析

3.3.2 选择性分析

3.3.3 NO2气敏机理分析

3.4 本章小结

第4章疏水改性多孔性硅纳米线气敏传感器抗湿度干扰研究

4.1 实验试剂及设备

4.1.1 实验试剂

4.1.2 实验设备

4.2 制备工艺流程

4.2.1 实验流程

4.3 十八烷基三氯硅烷改性多孔性硅纳米线阵列的表征分析

4.4 十八烷基三氯硅烷改性的多孔性硅纳米线阵列的气敏性能分析

4.5 十八烷基三氯硅烷改性多孔性硅纳米线阵列气敏传感器抗湿度干扰机理分析

4.6 本章小结

第5章总结与展望

5.1 总结

5.2 展望

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢