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在非导电衬底上进行电子束/离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法

摘要

本发明公开了一种在非导电衬底上进行电子束/离子束聚焦刻蚀及显微成像的方法,属于微纳加工领域,包括:1)设计光刻掩模版的形貌和尺寸;2)对非导电衬底进行光刻处理;3)在光刻处理后的非导电衬底上进行金属镀膜处理,形成金属带;4)对镀膜后的非导电衬底进行显影处理成为样品;5)对金属带进行接地处理;6)对样品进行抽真空处理;7)对样品的金属带进行聚焦处理,选择电子束流,待成像清晰后,调整样品台至待刻样品区域;8)导入或绘制所需刻蚀微纳结构的形貌,设置参数后对样品进行FIB或EBL刻蚀及成像。有效提升非导电衬底材料表面的局域导电性,实现电子束和离子束的稳定聚焦,从而实现对非导电材料表面的微纳刻蚀以及显微成像。

著录项

  • 公开/公告号CN109160488A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201810983031.1

  • 申请日2018-08-27

  • 分类号

  • 代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡红娟

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2024-02-19 06:37:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81C1/00 申请公布日:20190108 申请日:20180827

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2019-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20180827

    实质审查的生效

  • 2019-01-08

    公开

    公开

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