In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法

摘要

本申请涉及In‑Cu合金粉末及其制法、In‑Cu合金溅射靶及其制法。该In‑Cu合金粉末包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。该In‑Cu合金粉末的制造方法具备：抽真空工序，使投入了包含In及Cu的原料金属的耐热容器达到10Pa以下的真空度；熔融工序，向所述耐热容器导入氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体，使所述耐热容器的内部充满所述惰性气体，接着加热为1100℃以上来熔融所述原料金属以制成熔融原料；及雾化工序，在700℃以上的温度下以氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体将所述熔融原料进行雾化。该In‑Cu合金溅射靶由包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下的烧结体构成。In‑Cu合金溅射靶的制造方法中，将包含所述In‑Cu合金粉末的原料粉末进行烧结。