机译:在$ \ rm的不同层中掺杂不同的氧气孔 sr_ {2} CuO_ {4- \ delta} -La_ {2} CuO_4 $超晶格
机译:空穴掺杂La_(1.85)Sr_(0.15)CuO_(4-#delta#)X _(#delta#(X = F,Cl)和电子掺杂Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4-#delta# X_#δ#卤代氧化物催化乙烷选择性氧化为乙烯
机译:Sr_2CuO_(4-δ)/ La_2CuO_4超晶格不同层中的明显氧空穴掺杂
机译:Sr_(0.6)Ca_(0.4)CuO_(2-δ)无限层薄膜中氧空位引起的电子掺杂超导
机译:掺杂电子结构在单层铜酸Bi_(2)Sr_(2-x)La_(x)Cuo_(6 + delta)中的电子结构的演变
机译:多层δ掺杂半导体结构中空穴传输和太赫兹放大的蒙特卡罗模拟。
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:电阻率各向异性的演化 Bi_ {2} sr_ {2-x} La_ {x} CuO_ {6+ \ delta}单晶,适用于各种孔 兴奋剂
机译:La 2CuO(4 + delta)和La(2-x)sr(x)CuO(4 + delta)中的相图和掺杂空穴偏析(x =或<0.15 delta =或<0.12)。