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具有超晶格和在不同深度处的穿通停止(PTS)层的半导体装置和相关方法

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半导体装置可以包括半导体衬底和具有第一操作电压的第一晶体管。每个第一晶体管可以包括半导体衬底中的第一穿通停止(PTS)层和第一沟道，并且第一PTS层可以在第一沟道下方的第一深度处。该半导体装置可以进一步包括具有高于第一操作电压的第二操作电压的第二晶体管。每个第二晶体管可以包括半导体衬底中的第二PTS层和第二沟道，并且第二PTS层在第二沟道下方的大于第一深度的第二深度处。此外，第一沟道可以包括第一超晶格并且第二沟道可以包括第二超晶格。

著录项

  • 公开/公告号CN107771355B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿托梅拉公司;

    申请/专利号CN201680036091.1

  • 发明设计人 R·J·梅尔斯;武内英树;

    申请日2016-05-13

  • 分类号H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/15(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张小稳

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 13:01:06

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