机译:中型硅团簇的结构和稳定性。 III。重新审视生长模式中的基序转换从si \ u3csub \ u3e15 \ u3c / sub \ u3e到si \ u3csub \ u3e20 \ u3c / sub \ u3e
机译:中型硅簇的结构和稳定性。三,从Si-15到Si-20的生长模式中的基序过渡的重新检验
机译:中型硅团簇的结构和稳定性III。从Si_(15)到Si_(20)的生长模式中的基序转变的重新检验
机译:中型硅团簇的结构和相对稳定性。 IV。基于母题的低洼星团Si-21-Si-30
机译:图案化硅结构上Ge和Si_xGe_(1-x)薄膜的异质外延生长和表征
机译:电子原理,控制金属和硅封装的过渡金属簇的稳定性和反应性。
机译:中型和大型硅簇的结构和相对稳定性。 VI。富勒烯笼子图案适用于低洼阵列si \ u3csub \ u3c / sub \ u3e,si \ u3csub \ u3e40 \ u3c / sub \ u3e,si \ u3csub \ u3e50 \ u3c / sub \ u3e,si \ u3csub \ u3e60 \ u3c / sub \ u3e,si \ u3csub \ u3e70 \ u3c / sub \ u3e,以及si \ u3csub \ u3e80 \ u3c / sub \ u3e
机译:在图案化的基板上生长氢化非晶硅(a-si:H)以提高机械稳定性