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L'exploitation et l'amélioration des propriétés optiques et électriques du germanium pour la conception et la réalisation de dispositifs de mesures optoélectroniques

机译:开发和改进锗的光学和电学性能,用于设计和生产光电测量装置

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摘要

Étant donné le contexte énergétique actuel, les exigences par rapport à l’exactitude des instruments de mesure radiométriques deviennent de plus en plus cruciales et les matériaux nécessaires aux dispositifs convertissant l’énergie en un courant électrique donnent lieu à de nombreuses recherches et développement. Tout ceci implique que ces matériaux doivent être plus performants de point du vue sensibilité au changement de la température ou du rayonnement lumineux. La sensibilité d’un instrument de mesure radiométrique est le rapport entre la sortie qui est le courant électrique et la puissance lumineuse incidente. Cette dernière s’exprime aussi en fonction du coefficient de réflexion du matériau et du rendement quantique. Ce projet a été réalisé dans le but d’améliorer ces deux paramètres en exploitant les propriétés structurales du Germanium pour l’amélioration de ses caractéristiques optiques dans un premier temps et pour l’amélioration potentielles de ses caractéristiques électriques.ududLa plus grande partie du projet a été consacrée à la réflexion optique de ce matériau. En effet, des recherches ont été réalisées dans le but d’établir une méthode originale de gravure à coût réduit qui permet de porosifier la surface active du dispositif permettant ainsi d’augmenter le ratio surface/air afin de piéger les photons incidents et de créer plus de pairs électrons-trous. Différents traitements ont été testés qui s’appuient sur des gravures autocatalytiques dans des bains de solutions chimiques. Le traitement qui a encouragé à faire plus d’investigations est le traitement à l’eau régale puisque l’observation de ses résultats sous le Microscope Électronique à Balayage (MEB) montrait un réseau de cavités en forme de V peu profond et homogène. Une analyse topographique plus précise par l’étude de l’influence de la durée du bain en utilisant un Microscope à Force Atomique (AFM), une analyse cristallographique en utilisant la technique de Diffraction des Rayons X (XRD) et une analyse de la réflexion optique à l’aide de la technique UV-VIS- NIR spectroscopie ont été menées afin de comprendre le comportement et la nature de la surface gravée. La conclusion de ces analyses a été que le traitement à l’eau régale permettait de porosifier la surface d’une façon contrôlable tout en conservant sa nature cristalline et qu’un traitement rapide de 5 min à l’eau régale pouvait diminuer la réflexion de 12-14% par rapport au Ge brut alors qu’un traitement d’une heure pouvait diminuer la réflexion sous les 14%.ududUne autre partie du projet a été concentrée sur la conception et à la réalisation d’une photodiode au Germanium à jonction PN. Cette étape a été réalisée dans le but d’identifier tous les points à considérer et à contrôler lors du processus de réalisation d’une photodiode à jonction PN et dans le but de commenter les anomalies détectées dans cette première réalisation afin de pouvoir les améliorer dans le futur. Afin de faciliter la collecte des électrons générés par le circuit extérieur et d’éviter les recombinaisons des porteurs de charge pour l’amélioration du rendement quantique, les paramètres d’implantation de la couche dopée pour la formation de la jonction PN étaient choisis sur la base de la simulation et de la bibliographie de telle sorte que la couche supérieure soit fortement dopée et proche de la surface. La qualité de l’implantation réalisée a été ensuite discutée. Aussi le choix des métaux pour le dépôt des électrodes a été effectué de telle sorte à permettre la possibilité de l’obtention de contacts ohmiques. D’un autre côté, l’électrode supérieure devrait répondre aux critères de transparence et de conductivité ce qui a conduit à mener une étude de la forme de l’électrode supérieure.udududududLa définition de la configuration de la photodiode à jonction PN au Germanium avec tous ses paramètres et la caractérisation de la couche poreuse, permettent de sélectionner les paramètres de gravure adéquats pour proposer l’intégration de cette porosité sur la face avant de la photodiode au Germanium.
机译:在当前的能源环境下,对辐射测量仪器的准确性的要求变得越来越重要,并且将能量转换为电流的设备所需的材料已成为许多研究和开发的主题。所有这些暗示着,从对温度或光辐射变化的敏感性的角度来看,这些材料必须更有效。辐射测量仪器的灵敏度是电流输出量和入射光功率之间的比率。后者也用材料的反射系数和量子产率表示。该项目旨在通过利用锗的结构特性来改善这两个参数,从而首先改善锗的光学特性并可能改善其电特性。该项目的一部分致力于这种材料的光学反射。实际上,已经进行了研究,目的是以降低的成本建立一种原始的蚀刻方法,该方法可以对器件的有源表面进行多孔化处理,从而可以增加表面/空气比率,以捕获入射光子并产生光子。更多的电子空穴同行。基于化学溶液浴中的自动催化雕刻,已经测试了不同的处理方法。鼓励进行更多研究的治疗是王水处理,因为在扫描电子显微镜(SEM)下观察其结果显示出浅而均匀的V形腔网络。通过使用原子力显微镜(AFM)研究熔池持续时间的影响,使用X射线衍射技术(XRD)进行晶体学分析和反射分析来进行更精确的形貌分析为了了解蚀刻表面的行为和性质,进行了使用UV-VIS-NIR光谱技术的光学器件。这些分析的结论是,王水处理可以在保持其晶体性质的同时,以可控的方式对表面进行孔隙化处理,王水快速处理5分钟可以减少表面的反射。相对于总Ge来说,这一比例为12-14%,而一小时的处理可能会使反射率降低到14%以下。 Ud ud该项目的另一部分重点在于设计和生产光电二极管。锗,PN结。进行此步骤是为了识别在生产PN结光电二极管的过程中要考虑和要检查的所有点,并注释在此第一个生产中检测到的异常,以便能够改进它们。未来。为了便于收集由外部电路产生的电子并避免电荷载流子复合以提高量子产率,在硅片上选择了用于形成PN结的掺杂层的注入参数。模拟和参考书目的基础,以便上层被强烈掺杂并靠近表面。然后讨论了实现的质量。而且,以允许获得欧姆接触的可能性的方式来选择用于沉积电极的金属。另一方面,上电极应满足透明性和导电性的标准,这导致了对上电极形状的研究。 Ud ud ud ud ud ud具有锗的PN结光电二极管的所有参数以及多孔层的特性,可以选择合适的蚀刻参数,以建议将这种孔隙率整合到锗光电二极管的正面。

著录项

  • 作者

    Chaabane Ibtihel;

  • 作者单位
  • 年度 2017
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 fr
  • 中图分类

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