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【2h】

Study of Interfaces Chemistry in Type-II GaSb/InAs Superlattice Structures

机译：II型GaSb / InAs超晶格结构中界面化学的研究

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作者
Papis-Polakowska E.; Kaniewski J.; Szade J.; Rzodkiewicz W.; Jasik A.; Reginski K.; Wawro A.;
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年度 2012
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1. Study of interfaces chemistry in type-Ⅱ GaSb/InAs superlattice structures [J] . E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, Thin Solid Films . 2012,第期

机译：Ⅱ型GaSb / InAs超晶格结构的界面化学研究
2. A study of vertical and in-plane electron mobility due to interface roughness scattering at low temperature in InAs/GaSb type-II superlattices [J] . Safa, S., Asgari, Journal of Applied Physics . 2013,第5期

机译：InAs / GaSb II型超晶格在低温下由于界面粗糙度散射而引起的垂直和平面电子迁移率的研究
3. First-principles study of interface relaxation effect on interface and electronic structures of InAs/GaSb superlattices with different interface types [J] . Wei-Feng Sun, Mei-Cheng Li, Lian-Cheng Zhao Superlattices and microstructures . 2011,第1期

机译：界面弛豫对不同界面类型的InAs / GaSb超晶格的界面和电子结构的第一性原理研究
4. Modeling and simulation of InAs/GaSb type-II superlattices with different interface layers [C] . Kuan Zhou, Dandan Yi, Ming Li, International Conference on Electronic Packaging Technology . 2016

机译：具有不同界面层的InAs / GaSb II型超晶格的建模与仿真
5. Dark Current Suppression, Optical Performance Improvement and High Frequency Operation of InAs/GaSb and InAs/InAsSb Type-II Superlattices-Based Infrared Devices [D] . Chevallier, Romain. 2019

机译：InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制，光学性能改进和高频操作
6. High performance bias-selectable three-color Short-wave/Mid-wave/Long-wave Infrared Photodetectors based on Type-II InAs/GaSb/AlSb superlattices [O] . Anh Minh Hoang, Arash Dehzangi, Sourav Adhikary, -1

机译：基于II型InAs / GaSb / AlSb超晶格的高性能偏置可选三色短波/中波/长波红外光电探测器
7. Growth Optimization, Strain Compensation and Structure Design of InAs/GaSb Type-II Superlattices for Mid-Infrared Imaging [O] . Yuxin Song, Shumin Wang, Carl Asplund, 2013

机译：用于中红外成像的Inas / Gasb II型超晶格的生长优化，应变补偿和结构设计

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