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A simplified method for (circular) transmission line model simulation and ultralow contact resistivity extraction

机译:用于(圆形)传输线模型仿真和超低接触电阻率提取的简化方法

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摘要

The metal resistance in the transmission line model (TLM) structures creates a serious obstacle to determine precisely the intrinsic contact resistivity. To tackle this problem, we propose a new model, the Lump Model, to evaluate the metal resistance influence in both TLM and circular TLM (CTLM) test structures. In this work, we demonstrate the high simplicity, great robustness and flexibility of the Lump Model. The previous reported contact resistivity values extracted with CTLM are usually above 1×10-7 Ω·cm2 because the metal resistance impact is commonly neglected. This is the first time that the role of the metal in CTLM is appropriately analyzed. Low contact resistivity, 3.6×10-8 Ω·cm2, of standard NiSi/n-Si contact has been extracted and this shows the high sensitivity of this method.
机译:传输线模型(TLM)结构中的金属电阻为精确确定本征接触电阻率造成了严重障碍。为了解决这个问题,我们提出了一种新的模型,即团块模型,以评估金属电阻在TLM和圆形TLM(CTLM)测试结构中的影响。在这项工作中,我们展示了块模型的高度简单性,强大的鲁棒性和灵活性。以前报道的用CTLM提取的接触电阻率值通常在1×10-7Ω·cm2以上,因为通常忽略了金属电阻的影响。这是首次对金属在CTLM中的作用进行了适当分析。标准NiSi / n-Si触点的接触电阻率低至3.6×10-8Ω·cm2,这表明该方法具有很高的灵敏度。

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