Organische halfgeleiders liggen aan de basis van een relatief nieuw enuitgebreid onderzoeksdomein, nl. de organische elektronica. Debijzondere eigenschappen van deze materialen leiden tot een aantalspecifieke voordelen van een dergelijke technologie. Men verwacht dathet gebruik van organische halfgeleiders zal leiden tot een bredewaaier van toepassingen. Organische lichtemitterende diodes zijntegenwoordig al commercieel beschikbaar, en het ligt in de lijn van deverwachtingen dat ook organische dunnefilmtransistors gebruikt zullenworden in een aantal specifieke toepassingen.Deze thesis handelt over organische dunnefilmtransistors. Tijdensdit doctoraatswerk werden twee belangrijke onderwerpen onderzocht. Dehoofdbrok van deze thesis bestaat uit de technologische ontwikkelingvan een proces om organische dunnefilmtransistors en schakelingen tefabriceren. Verder is er ook onderzoek verricht op het gebied van hetontwerp van schakelingen op basis van deze transistors.Na een bondige inleiding tot de organische elektronica, beschrijvenwe de technologische ontwikkeling van organische dunnefilmtransistors,en leggen we zo verband tussen een aantal technologische aspecten en deelektrische performantie van de transistors. De verschillende soortenorganische transistors worden toegelicht. De depositie van pentaceen deorganische halfgeleider, de substraatbehandeling en de patronering vande halfgeleider worden besproken. Er wordt bijzondere aandacht besteedaan een nieuwe substraatbehandeling en aan een nieuwe methode om deorganische halfgeleider te patroneren.Vervolgens gaan we dieper in op het ontwerp en de realisatie vanschakelingen, gebaseerd op organische dunnefilmtransistors. Webeschrijven in detail een nieuwe methode om n- en p-typeorganischedunnefilmtransistors te patroneren op eenzelfde substraat. Het succesvan deze complementaire technologie wordt overtuigend aangetoond doorde excellente werking van eencomplementaire organische invertor.Verder hebben we ook een lichtemitterende organischeveldeffecttransistor gerealiseerd, waarin een pn-heterojunctie in hettransistorkanaal gepatroneerd werd.Tenslotte beschrijven we de relatie tussen de parameters vanorganische p-type transistors, en de ruismarge van een invertor diegebaseerd is op dergelijke componenten. Er wordt ook een statistischeverdeling van de drempelspanning geïntroduceerd om na te gaan welkeinvloed deze niet-uniformiteit heeft op op de werking van de invertor.Omdat de ruismarge van een invertor een maatstaf is voor de robuustewerking ervan, hebben we een direct verband kunnen leggentussen deuniformiteit van de drempelspanning van de transistors en de opbrengstvan organische schakelingen. Deze analyse geeft overduidelijk aan datde uniformiteit van de drempelspanning een cruciale parameter is omorganische schakelingen van enige complexiteit te fabriceren.
展开▼
