Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application

机译：用于低压应用的读/写边缘增强型10T SRAM

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Chunyu Peng; Lijun Guan; Wenjuan Lu; Xiulong Wu; Xincun Ji;
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年度 2016
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1. Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application [J] . Chunyu Peng, Lijun Guan, Wenjuan Lu, IEICE Electronics Express . 2016,第12期

机译：读/写余量增强的10T SRAM用于低压应用
2. Ultra-Low Power, Process-Tolerant 10T (PT10T) SRAM with Improved Read/Write Ability for Internet of Things (IoT) Applications [J] . Pooran Singh, Santosh Kumar Vishvakarma Journal of Low Power Electronics and Applications . 2017,第3期

机译：超低功耗，过程耐受性10T（PT10T）SRAM，具有改进的物联网（IoT）应用读写能力
3. A near-threshold 10T differential SRAM cell with high read and write margins for tri-gated FinFET technology [J] . Limachia Mitesh, Thakker Rajesh, Kothari Nikhil Integration . 2018,第MARa期

机译：接近阈值的10T差分SRAM单元，具有三门Finfin技术的高读写余量
4. Characterization of a Novel 10T Low-Voltage SRAM Cell with High Read and Write Margin for 20nm FinFET Technology [C] . Mitesh Limachia, Pathik Viramgama, Rajesh Thakker, International Conference on VLSI Design . 2017

机译：20NM FinFET技术具有高读写边缘的新型10T低压SRAM单元的表征
5. Supply Voltage Minimization with Yield Awareness for Nanoscale SRAMs. [D] . Wang, Jiajing. 2010

机译：纳米级SRAM的电源电压最小化和良率感知。
6. Ultra-low input single tube linked read library method enables NGS systems generate accurate economical long read information for broad applications [O] . Yong Wang 2020

机译：超低输入单管连接读取库方法使NGS系统能够为广泛应用产生准确和经济的长读取信息
7. Ultra-Low Power, Process-Tolerant 10T (PT10T) SRAM with Improved Read/Write Ability for Internet of Things (IoT) Applications [O] . Pooran Singh, Santosh Kumar Vishvakarma 2017

机译：超低功耗，工艺容差10T（pT10T）sRam，具有改进的物联网（IoT）应用的读/写能力

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