声明
第一章绪论
1.1 研究背景
1.2 国内外研究现状
1.3 本文的创新与主要工作
1.4 本文的结构安排
第二章低压 SRAM设计综述
2.1 低压 SRAM单元的工作原理与设计参数
2.1.1 保持操作与保持稳定性
2.1.2 读操作与读稳定性
2.1.3 写操作与写能力
2.1.4 功耗
2.1.5 读写时间
2.1.6 最小工作电压
2.1.7 面积
2.2 单元稳定性提升技术
2.2.1 基于施密特触发器的设计
2.2.2 读缓冲结构
2.2.3 伪节点技术
2.2.4 切断或削弱反馈环的设计
2.2.5 数据感知的写字线结构
2.3 其他设计考虑
2.3.1 读位线漏电流的问题与解决
2.3.2 软错误和半选问题的解决
2.4 外围辅助技术
2.4.1 读辅助技术
2.4.2 写辅助技术
2.4.3 减小读位线漏电流的辅助技术
2.4.4 灵敏放大器的设计
2.5 本章小结
第三章应用于超低压系统的新型 10T SRAM电路设计
3.1 电路设计
3.2 读写策略
3.2.1 读操作与读提升技术
3.2.2 写操作与写提升技术
3.3 半选问题的解决
3.4 本章小结
第四章新型 10T SRAM单元的性能仿真与分析
4.1 稳定性
4.1.1 保持静态噪声容限
4.1.2 读静态噪声容限
4.1.3 写裕度
4.2 读写时间
4.2.1 读时间
4.2.2 写时间
4.3 功耗
4.3.1 动态功耗
4.3.2 静态功耗
4.4 最小工作电压
4.5 面积
4.6 本章小结
第五章新型 10T SRAM单元的阵列设计与仿真
5.1 整体架构
5.2.1 时序控制电路
5.2.2 译码器
5.2.3 读写控制信号驱动电路
5.2.4 灵敏放大器
5.3 整体电路的仿真结果
5.4 本章小结
第六章总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果
电子科技大学;
