公开/公告号CN213814438U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 英彼森半导体(上海)有限公司;
申请/专利号CN202023339348.3
申请日2020-12-31
分类号G05F1/56(20060101);
代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人符继超
地址 200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
入库时间 2022-08-22 23:13:33
机译: 带隙基准电压产生电路及带隙基准电压产生系统
机译: 带隙基准电压产生电路和带隙基准电压产生系统
机译: 带隙基准电压产生电路和带隙基准电压产生系统