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一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路

摘要

本实用新型公开了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路,包括:第一启动电路、第二启动电路和核心电路;第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1;M1的源极、M2的源极以及M3的漏极均接入电源;M1的栅极、M2的栅极和M3的源极彼此连接,并与R1串联后接地;M1的漏极、M2的漏极和M3的栅极均与核心电路连接;第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1;U1的同相输入端分别与M4的漏极和J1的发射极连接;J1的基极和集电极连接后接地;U1的反相输入端与核心电路连接,输出端与M5的栅极连接;M5的源极接地,漏极与M4的栅极连接;M4的源极接入电源。本实用新型可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下。

著录项

  • 公开/公告号CN213814438U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英彼森半导体(上海)有限公司;

    申请/专利号CN202023339348.3

  • 发明设计人 宋利军;邹亮;

    申请日2020-12-31

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人符继超

  • 地址 200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层

  • 入库时间 2022-08-22 23:13:33

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