Understanding Reduced-Voltage Operation in Modern DRAM Devices

机译：了解现代DRAM设备中的降压操作

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Kevin K. Chang; Abdullah Giray Yağlıkçı; Saugata Ghose; Aditya Agrawal; Niladrish Chatterjee; Abhijith Kashyap; Donghyuk Lee; Mike OConnor; Hasan Hassan; Onur Mutlu;
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年度 2017
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1. Understanding Reduced-Voltage Operation in Modern DRAM Devices: Experimental Characterization, Analysis, and Mechanisms [J] . Kevin K. Chang, Abdullah Giray Yaglikci, Saugata Ghose, Performance evaluation review . 2017,第1期

机译：了解现代DRAM器件中的降压操作：实验特性，分析和机制
2. An Experimental Study of Data Retention Behavior in Modern DRAM Devices: Implications for Retention Time Profiling Mechanisms [J] . Jamie Liu, Ben Jaiyen, Yoongu Kim, Computer architecture news . 2013,第3期

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3. Application of a diffusion model to SEE cross sections of modern devices [DRAMs] [J] . Smith E.C., Stassinopoulos E.G. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1995,第6期

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4. Understanding and Modeling On-Die Error Correction in Modern DRAM: An Experimental Study Using Real Devices [C] . Minesh Patel, Jeremie S. Kim, Hasan Hassan, Annual IEEE/IFIP International Conference on Dependable Systems and Networks . 2019

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5. Power-saving method for DRAM/eDRAM and 3D-DRAM exploiting the process variations, temperature changes, device degradation, and memory access workload variations and innovative heterogeneous memory management approach using 3D-DRAM with Quality of Service. [D] . Tran, Le-Nguyen. 2013

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