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【2h】

Optimization of high-k composite dielectric materials of variable oxide thickness tunnel barrier for nonvolatile memory

机译：用于非易失性存储器可变氧化物厚度隧道屏障的高k复合介质材料的优化

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Farah A.Hamid; Afiq Hamzah; N. Ezaila Alias; Razali Ismail;
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年度 2019
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