机译:对自加热效应的洞察及其对硅纳米管的热载体降解的影响,对基于硅 - 纳米管的双栅 - 全面(DGAA)MOSFET
机译:结合量子约束效应的硅纳米管超薄双栅极全能(DGAA)MOSFET的阈值电压模型
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)的自热效果和热载流量降解为栅极 - 全面MOSFET
机译:IN0.53GA0.47AS - 全面MOSFET中的自热效果和热载体降解
机译:全方位栅纳米线III–V MOSFET热载流子降解的起源及其影响
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:h-BN包裹的石墨烯的瞬态响应晶体管:自热和热载流子陷阱的特征
机译:通过将异栅电介质结合在栅极 - 全面MOSFET中的异质栅电介质改进
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化