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【2h】

Highly electronegative contacts to compound semiconductors

机译:高电负接触复合半导体

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摘要

Gold contacts to most III–V and II–VI compounds position the Fermi level at the interface well into the energy gaps of the semiconductors. To position the Fermi level closer to a conduction‐band edge, particularly in the more ionic semiconductors, one may substitute a more electropositive element like Al for the Au contact. To position the Fermi level closer to a valence‐band edge, however, there are no further possibilities among the elemental metals, since Au is the most electronegative of these. Two contact materials, (SN)_x and HgSe, which overcome this limitation have recently been reported. Barriers produced by these contacts on many compound semiconductors will be reported and shown to exhibit the well‐known ionic–covalent transition. Device use and suggestions for further research are mentioned.
机译:与大多数III–V和II–VI化合物的金接触将费米能级定位在界面处,并进入半导体的能隙。为了使费米能级更靠近导带边缘,尤其是在离子性更高的半导体中,可以用铝等电正性更高的元素代替金触点。但是,要使费米能级更靠近价带边缘,元素金属之间就没有其他可能性,因为金是其中最负电的。最近已经报道了克服这种限制的两种接触材料,(SN)_x和HgSe。这些接触在许多化合物半导体上产生的势垒将被报道并显示出众所周知的离子-共价跃迁。提到了设备的使用和进一步研究的建议。

著录项

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  • 年度 1978
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