首页> 外文OA文献 >Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки

【2h】

Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки

机译：高能电升降对高电压帮助码特性的影响集成了4H-SIC P-N-N-N-肖特基二极管

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
А.А. Лебедев; В.В. Козловский; П.А. Иванов; М.Е. Левинштейн; А.В. Зубов;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленныхимплантацией бора, методом нестационарнойемкостной спектроскопии [J] . П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Физика и техника полупроводников . 2011,第10期

机译：非稳态电容光谱法研究硼注入法制备的基于4H-SiC的p-n结
2. Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленныхимплантацией бора, методом нестационарнойемкостной спектроскопии [J] . П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Физика и техника полупроводников . 2011,第10期

机译：基于的4H-SiC的p-n结的调查，izgotovlennyhimplantatsiey硼光谱法nestatsionarnoyemkostnoy
3. Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [J] . П.А.Иванов, И.В.Грехов, А.С.Потапов, Физика и техника полупроводников . 2008,第7期

机译：硼注入制备的具有保护性p-n结的基于4H-SiC的肖特基二极管的脉冲击穿
4. Optical Study of Orientational Order Parameter in p-n-(Phenyl Benzylidene) -p-Alkyl and Alkyloxy Anilines [C] . B.R. Rajeswari, P. Pardhasaradhi, M. Ramakrishna Nanachara Rao, LCST 2011 . 2012

机译：P-N-（苯基苄基）-P-烷基和烷氧基苯胺中取向阶参数的光学研究
5. Design, Analysis, and Optimization of 1.2 kV 4H-SiC Planar-Gate Power MOSFETs for Improved High Frequency Switching [D] . Han, Kijeong. 2019

机译：1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计，分析和优化，用于改进的高频切换
6. Investigation of the Young’s Modulus and the Residual Stress of 4H-SiC Circular Membranes on 4H-SiC Substrates [O] . Jaweb Ben Messaoud, Jean-François Michaud, Dominique Certon, 2019

机译：4H-SiC衬底上4H-SiC圆形膜的杨氏模量和残余应力的研究
7. Characterization of SiO2/4H-SiC Interfaces in 4H-SiC MOSFETs: A Review [O] . Patrick Fiorenza, Filippo Giannazzo, Fabrizio Roccaforte 2019

机译：4H-SIC MOSFET中SIO2 / 4H-SIC接口的表征：综述

Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅