公开/公告号CN102005452B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201010273800.2
申请日2010-08-30
分类号H01L27/04(20060101);H01L21/77(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/36(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人王敏杰
地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号
入库时间 2022-08-23 09:11:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/04 登记生效日:20200507 变更前: 变更后: 申请日:20100830
专利申请权、专利权的转移
2012-10-10
授权
授权
2012-10-10
授权
授权
2011-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/04 申请日:20100830
实质审查的生效
2011-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20100830
实质审查的生效
2011-04-06
公开
公开
2011-04-06
公开
公开
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机译: 高击穿电压MOS晶体管,半导体集成电路器件和高击穿电压半导体器件
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