机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用
机译:使用低能离子注入技术对InGaAsP-InP激光二极管进行蓝移:应变和晶格匹配的量子阱结构之间的比较
机译:使用低能量注入技术对InGaAsP-InP激光二极管进行蓝移:应变和晶格匹配的量子阱结构之间的比较
机译:锌和碲掺杂对晶格匹配和晶格不匹配的InGaAs / InP外延层和热光伏电池中少数载流子复合的影响。
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:用于热光电应用的晶格匹配InGaas / Inp pN二极管中的高注入和载流子堆积
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质