Radiation ; CMOS ; Electronic equipment tests ; Irradiation ; Transistors ; Integrated circuits;
机译:CMOS / SOI在100 Mrad(SiO / sub 2 /)下的硬化
机译:研究在10 Mrad之后采用1.2μm CMOS-SOI技术进行模拟IC设计的器件参数(用于强子对撞机)
机译:在SOI上的快速,低功耗CMOS放大器,用于辐射高达20 Mrad(Si)的传感器应用
机译:中子和质子辐照可在耐辐射的商用亚微米CMOS工艺中抑制闩锁
机译:超过100 GHz的CMOS电路和设备。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:采用1xVDD CmOs器件实现的2xVDD容差晶体振荡器电路,无栅氧化层可靠性问题