Extension du “Programme d’ évaluation de diodes Impatt à haut rendement” aux diodes à jonction P N

摘要

L’objet de cet avenant était de montier que la fiaollité des qiodes IMPATT à joction étudiées supérieure à celle des diodea à barrière de Schottky étudiées conjointement par le L.E.P. et R.T.C. Suresnes. Nous avons ensuite effectué sur ces diodes den tests à température élevée (200, 250 et 265℃) de facon à tracer le diagramme d’Arrhénius correspondant. Les différents résultats obtenus nous permettent de déterminer une ènergie d’activation de 2.2 eV de donner par exemple une durée de vie moyenne de 107 heures à 180℃ de température de jonction.nNous pouvons donc en conclure que les diodes à jonction P/N ont un temps moyen entre défaillances supérieur d’environ deux ordres de grandeur à celui des diodes à barrière Schottky.