EPITAXY; SILICON CARBIDES; ELECTRON ENERGY; VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTORS (MATERIALS); SUBSTRATES; P-N JUNCTIONS; JUNCTION DIODES; ELECTRIC POTENTIAL; ADDITIVES;
机译:大型多盒式外延反应器中生长的碳化硅外延的均匀性得到改善
机译:通过单晶氧化镁模板通过分子束外延提高钛酸钡的外延,以整合在六角形碳化硅上
机译:交替供应外延的生长机制:在多个大直径硅衬底上实现均匀碳化硅膜的独特途径
机译:用于控制掺杂CVD碳化硅的网站竞争外延
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:通过第一原理计算的富硅碳化硅材料的晶体结构和电子性能
机译:通过升华外延生长的荧光碳化硅层中缺陷的作用
机译:硅,硅/锗和碳化硅的原子层外延通过提取/交换过程