Gallium Nitrides; Annealing; Ion Implantation; MOSFET; Meetings;
机译:使用双AlN退火帽激活GaN中离子注入的Si
机译:双Aln退火帽活化离子注入硅
机译:超薄AlN层的结构和作用以改善稀土注入的GaN的光激活
机译:通过AlN或BN帽退火来活化4H-SiC中的离子注入
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:使用MgGaδ掺杂降低纳米(AlN)5 /(GaN)1超晶格替代的Al0.83Ga0.17N无序合金中Mg受体的活化能:Mg局部结构效应
机译:AlN纳米帽在高温退火过程中用于保护稀土注入GaN的失效机理