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毕叔和;
无;
硅; 氮化镓; 注入; RTP活化退火;
机译:使用新型RTP技术对硅注入的GaN进行高达1500℃的活化退火
机译:通过超高压退火对注入Mg的p型GaN进行高效活化
机译:大气压热等离子体射流照射后退火对离子注入Ga极面GaN中镁的活化作用
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:Eu注入和退火对GaN量子点激子复合的影响
机译:采用新型高温RTp系统在GaN中实现超高的注入活化效率
机译:MOCVD生长MG掺杂的GAN半导体薄膜的P型活化等离子退火方法
机译:通过连续注入和热处理在GAN基半导体层中进行掺杂活化的方法
机译:通过离子注入和热退火在SI或绝缘体上硅衬底上释放的SIGE层
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