42 ENGINEERING NOT INCLUDED IN OTHER CATEGORIES; JUNCTION TRANSISTORS; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ARSENIDES; GALLIUM ARSENIDES; INDIUM PHOSPHIDES; PERFORMANCE; EXPERIMENTAL DATA; ELECTRONIC CIRCUITS;
机译:InGaAs / InP异质结沟道隧穿场效应晶体管,用于低于0.5 v电源电压的超低工作和待机功率应用
机译:InP / InGaAs / InP双异质结双极晶体管的Ka波段功率性能
机译:微波功率InP / InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
机译:用于超低功耗电路应用的InGaas / Inp异质结双极晶体管