Semiconductor lasers; Chemical vapor deposition; Meetings; Indium Arsenides; Indium Antimonides; Optical Pumping; Layers; Strains;
机译:探索l型InAsSb应变层激光器的新有源区
机译:探索l型InAsSb应变层激光器的新有源区
机译:通过改变脊宽确定脊波导应变层量子阱激光器中的有源区泄漏电流
机译:中红外(3.3-3.9μm)激光和发光二极管,具有II型。“W”INAS(P,SB)/ INASSB有源区
机译:THz量子级联激光器:基于GaN的有源区的仿真和集成波导探头的制造。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域