Semiconductor materials; Silicon; Gallium arsenides; Annealing; Laser-radiation heating; Pulses; Melting; Solidification; Kinetics; Reflectivity;
机译:飞秒激光脉冲在砷化硅和砷化镓表面进行纳米光栅制备
机译:低温固相外延与非熔融双脉冲绿色激光退火相结合形成硅中超浅p〜+ / n结
机译:非熔融准分子激光退火在浅p + / n结形成过程中脉冲数对硅中掺杂物活化的影响
机译:在一个或多个脉冲的脉冲激光热退火过程中,熔体深度和时间变化
机译:脉冲激光退火产生的极重掺杂砷化镓镓的光学研究
机译:校正:PanJ.L.向砷化镓深中心激光器进展。材料200921599-1635
机译:脉冲激光退火砷化镓霍尔效应测量技术的研究
机译:退火硅注入砷化镓的深度分辨阴极发光研究