砷化镓与硅半导体制造工艺的差异分析

摘要

半导体材料可分为由单一元素构成的元素半导体与两种以上元素化合物所构成的化合物半导体两类,前者如硅(Silicon)、锗(Germanium)等所形成的半导体,后者如砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)、磷化铟(Indium Phospide,Inp)等化合物形成的半导体。在过去以个人计算机为应用主轴的时期,全球半导体产业皆以硅材料为发展重心。由于硅元素先天上的物理限制,传统的硅——互补金氧半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)制造工艺较无法胜任处理1GHz以上的高频信号,近两三年来,在通讯应用半导体的需求急增后,特别是对于高工作频率、高放大率与低噪声等条件极为要求的无线通讯IC而言,三五族化合物半导体砷化镓的材料与制造工艺的需求便格外受到重视。