Gallium Arsenides; Absorption; Lasers; Line Widths; Modulation; Nonlinear Optics; Substrates; Superlattices; Photoabsorption; EDB/656002; EDB/360603; Gallium indium arsenides; Quantum wells;
机译:分子束外延生长用于高速调制的应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs激光器
机译:通过化学辅助离子束刻蚀制造的InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器的高速调制
机译:原子力显微镜观察GaAs上有机金属气相外延生长应变层In_xGa_(1-x)As的表面形貌
机译:线性梯度变质In_xGa_(1-x)P缓冲GaAs衬底上生长的具有部分p掺杂光吸收层的未掺杂InP夹心InGaAs p-i-n光电探测器
机译:II-VI DMS异质结构的磁光研究:锌(1-xy)锰(x)镉(y)硒/锌(1-x)锰(x)硒单量子阱,锌(1-x)镉( x)硒/锌(1-y)锰(y)硒I型和硒化镉/碲化锌的II型超晶格。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:分子束外延生长的应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs激光器用于高速调制