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兰建章; 王绍青; 孟祥敏; 于瀛大; 谢天生; 李斗星;
中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室,沈阳,110015;
高分辨电子显微像; 应变层超晶格; 定量分析; 点阵畸变; 元素分布;
机译:来自GaAs-GaAsP和InGaAs-AlGaAs应变层超晶格光电阴极的高极化电子
机译:GaAs缓冲外延层上分子束外延生长的(BeTe / ZnSe)超晶格的高分辨率X射线衍射(HRXRD)和透射电子显微镜(TEM)研究
机译:作为自旋极化电子源的GaAs-GaAsP应变层超晶格中导带电子的高自旋极化
机译:用于多结太阳能电池的高铟和高磷含量InGaAs / GaAsP应变层超晶格的优化
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:利用InGaAs-GaAs应变层超晶格的高极化电子源
机译:InGaas / Gaas应变层超晶格的mBE生长和表征
机译:具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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