Transistors ; Design ; Electronic Circuits ; Gamma Radiation ; Junction Transistors ; MOS Transistors ; Physical Radiation Effects ; Preamplifiers ; Superconducting Super Collider;
机译:使用标准SiGe工艺制造的金属氧化物半导体场效应晶体管双极结晶体管负微分电阻电路的三值存储电路
机译:不同能量Br离子对双极结型晶体管和集成电路的辐射影响
机译:基于异质结构场效应晶体管的微波单片集成电路中的瞬态辐射效应:实验和模型
机译:伽马辐射引起的对属于单片工艺的结型场效应晶体管中噪声的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:使用双电路设计的双极连接晶体管具有分布式输出的450MHz放大器的仿真
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。