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【24h】

InAs HEMT Narrowband Amplifier with Ultra-low Power Dissipation.

机译:具有超低功耗的Inas HEmT窄带放大器。

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摘要

The design, fabrication and performance of a prototype narrowband amplifier using InAs-channel HEMTs are reported. The amplifier, which is realised on an RT/Duroid circuit board with a combination of transmission lines and lumped components, is intended f ...

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