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Molecular Beam Epitaxy on Aligned Carbon Nanotube Arrays for Nanoelectronic Applications

机译：纳米电子对准碳纳米管阵列的分子束外延

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The result on molecular beam epitaxy of GaAs and AlGaAs using carbon nanotubes (CNTs) as a crystalline seed is reported. At the growth temperature T sub G >or= 600 C, GaAs wraps around CNTs forming wirelike configuration, while Al composites form dot-like formation. At T sub G.

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作者
Woo, J. C.;
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作者单位

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年度 2006
页码 1-11
总页数 11
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Gallium arsenides; Aluminum arsenides; Molecular beam epitaxy; Semiconducting films; Carbon nanotubes; Reprints; Temperature; Raman spectroscopy; South korea; Cathodoluminescence; Quantum electronics; X ray diffraction; Photoluminescence; Crystal structure;

机译：砷化镓;砷化铝;分子束外延;半导体薄膜;碳纳米管;重印;温度;拉曼光谱;韩国;阴极发光;量子电子学; X射线衍射;光致发光;晶体结构;

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