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Change in Electroconduction of Vitreous Semiconductors (T1asse2; T1asse4; As4se3te3 and As2se2te) in Dependence Upon the Magnitude of Integral Dosage of gamma-Radiation

机译：玻璃体半导体（T1asse2; T1asse4; as4se3te3和as2se2te）的电导率的变化依赖于γ-辐射的积分剂量的大小

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The dependence of electrical conductance on the integral dosage of gamma radiation is reported for the following vitreous semiconductors: TlSe.As2Se3, As2Se3.As2Te3, and 2As2Se3.As2Se3.

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作者
Bobrova, A. N.;
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作者单位

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年度 1965
页码 p.1-2
总页数 2
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
SEMICONDUCTORS ; RADIATION DAMAGE ; GLASS ; THALLIUM COMPOUNDS ; ARSENIC COMPOUNDS ; SELENIDES ; TELLURIDES ; GAMMA RAYS ; ELECTRICAL CONDUCTANCE ; PHOTOELECTRIC EFFECT ; USSR;

机译：半导体;辐射损伤;玻璃;铊化合物;砷化合物;硒化物; TELLURIDEs; Gamma RaYs;电导率;光电效应;苏联;

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