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【2h】

Effective Heisenberg exchange integrals of diluted magnetic semiconductors determined within realistic multi-band tight-binding models

机译：稀释磁半导体的有效Heisenberg Exchange积分在现实的多带紧密绑定模型中确定的稀释磁半导体

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Stefan Barthel; Gerd Czycholl; Georges Bouzerar;
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年度 2013
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1. Effective Heisenberg exchange integrals of diluted magnetic semiconductors determined within realistic multi-band tight-binding models [J] . Stefan Barthel, Gerd Czycholl, Georges Bouzerar The European Physical Journal B . 2013,第1期

机译：在实际的多频带紧束缚模型中确定的稀磁半导体的有效海森堡交换积分
2. Effective Heisenberg exchange integrals of diluted magnetic semiconductors determined within realistic multi-band tight-binding models [J] . Stefan Barthel, Gerd Czycholl, Georges Bouzerar The European physical journal, B. Condensed matter physics . 2013,第1期

机译：在实际的多频带紧束缚模型中确定的稀磁半导体的有效海森堡交换积分
3. Magnetism in (Ⅲ,Mn)-Ⅴ diluted magnetic semiconductors: Effective Heisenberg model [J] . S. Hilbert, W. Nolting Physical review. B, Condensed Matter And Materals Physics . 2005,第11期

机译：（Ⅲ，Mn）-Ⅴ稀磁半导体中的磁性：有效的海森堡模型
4. Effective exchange interactions in CuAlO_2-based dilute magnetic semiconductors by first-principles calculations [C] . H. Kizaki, K. Sato, H. Katayama-Yoshida International Conference on Defects in Semiconductors; 20070722-27; Albuquerque,NM(US) . 2007

机译：通过第一性原理计算在基于CuAlO_2的稀磁半导体中的有效交换相互作用
5. Transition-metal dopants in tetrahedrally bonded semiconductors: Symmetry and exchange interactions from tight-binding models [D] . Kortan, Victoria Ramaker 2015

机译：四面体键合半导体中的过渡金属掺杂剂：紧密结合模型的对称性和交换相互作用
6. Carrier States in Ferromagnetic Semiconductors and Diluted Magnetic Semiconductors—Coherent Potential Approach— [O] . Masao Takahashi 2010

机译：铁磁半导体和稀磁半导体中的载流子状态-相干势法
7. Magnetism in (III, Mn)-V Diluted Magnetic Semiconductors: Effective Heisenberg Model [O] . Hilbert, S., Nolting, W. 2005

机译：（III，mn）-V稀磁半导体中的磁性：有效海森堡模型
8. Influence of Pair-Exchange Interaction on the Magnetization of IV-VI-Compound Diluted Magnetic Semiconductors. [R] . Anderson, J. R., Kido, G., Nishina, Y., 1990

机译：对交换相互作用对IV-VI-化合物稀磁半导体磁化强度的影响。

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