Untersuchung der elektrischen Kenngrößen von MNS-Transistoren amerikanischer Herkunft unter der Wirkung von γ- Strahlung einer 4000 Ci-Co 60-Quelle und 1,5-MeV-Elektronen

摘要

Aus Messungen der Steilheit, der Kapazität und der Rekombinations-ströme der bestrahlten Bauelemente läßt sich schließen, daß ioni-sierende γ-Strahlung die Turn-On-Spannung im Sinne einer positiven Raumladung in der IsolationsSchicht verschiebt und die Steilheit verringert.In Abhängigkeit der γ-Dosisleistung und der elektrischen Belastung der Bauelemente währen" der Bestrahlung zeigen diese Veränderung eine Sättigung.