Semiconductors; Surfaces; Gallium arsenides; Germanium; Depletion; Phonons; Charge carriers; Mathematical models; Polaritons;
机译:低晶格温度下屏蔽对化合物半导体简并表层能量损失速率的影响
机译:低晶格温度下相互作用势的筛选对化合物半导体中简并表面层迁移率特性的影响
机译:简并磁性半导体中的表面磁电效应和双电磁层
机译:具有耗尽区的半导体膜中的表面极化子
机译:在半导体表面上形成氨基硅烷和硫醇单层,并对III-V半导体进行本体湿法蚀刻。
机译:中等掺杂半导体表面的可调谐表面等离激元和声子极化相互作用
机译:半导体薄层中THz频率的远程表面等离激元极化子