Injection lasers; Quantum efficiency; Semiconductor lasers; Heterojunctions; Aluminum gallium arsenide; Reprints; Aluminum arsenides; Mathematical analysis; Algorithms;
机译:c平面,{10(1)over-bar1}和{11(2)over-bar2} InGaN / GaN基发光二极管的内部量子效率和载流子注入效率
机译:III型氮化物发光二极管的内部量子效率和电流注入效率分析
机译:孔阻断层对GaN基黄光LED V型坑洞注射和内量子效应的影响
机译:侧向电流注入GaInAsP / InP激光器中内部量子效率和载流子注入延迟的条纹宽度依赖性
机译:通过单个激光器的相互注入锁定,相干光束合并。
机译:局部表面等离子体激元增强了AlGaN基量子阱中深紫外发射的极化和内部量子效率
机译:水力旋流器沉降器(HCS)与内部氢气注射:内部循环的测量和三相流动的分离效率
机译:Inas / InGaas / Inp量子点注入激光器的辐射特性。