Gallium arsenides; Semiconductors; Electrical properties; Thin films; Deposition; Sputtering; N type semiconductors; Substrates; Schottky barrier devices; Hall effect; Doping; Chromium; Circuits; Semiconducting films;
机译:原子层沉积的HFO_2薄膜界面层对Au / Ti / n-ga-gaAs肖特基二极管电特性的影响
机译:退火对射频磁控溅射在GaAs(001)衬底上沉积的ZnO薄膜样品的电和光学性能的影响
机译:基板温度对射频磁控溅射沉积a-SiC:H薄膜的(微米/纳米)结构的影响。
机译:膜厚度对反应性DC磁控溅射沉积的Alcrn纳米组合薄膜结构和力学性能的影响。
机译:通过大功率脉冲磁控溅射沉积的银膜的电学和光学性质。
机译:更正:SinnarasaI。等。射频磁控溅射制备铜铁矿CuCrO2:Mg薄膜的热电和输运性质。纳米材料20177157
机译:薄膜制备,结构和性质。通过溅射合成的Mo / Al多层的结构和电性能。