Gallium arsenides; Fabrication; Electron beams; Evaporation; Gates(Circuits); Layers; Length; Single crystals; Substrates; Transistors; Monolithic structures(Electronics); Wafers; Transconductance; Reprints; Field effect transistors;
机译:利用外延剥离将InGaAs / GaAs / AlGaAs应变层SQW LED和GaAs MESFET进行单片集成
机译:使用平面多功能外延结构(PME)方法将830 nm的单模AlGaAs光波导与GaAs E / D-MESFET进行单片集成
机译:AlGaAs / GaAs MQW激光二极管和使用选择性再生长生长在Si上的GaAs MESFET的单片集成
机译:使用AlGaAs / InGaAs P-HEMT和GaAs MESFET的18-40 GHz半单片平衡级联放大器
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs MESFET中热载流子引起的辐射发射
机译:Gaas mEsFET采用单片Gaas / si衬底制造