Gallium arsenides; Fabrication; Electron beams; Evaporation; Gates(Circuits); Layers; Length; Single crystals; Substrates; Transistors; Monolithic structures(Electronics); Wafers; Transconductance; Reprints;
机译:GaAs MESFET,环形振荡器和2分频集成电路在Si衬底上的MBE生长GaAs上制造
机译:利用外延剥离将InGaAs / GaAs / AlGaAs应变层SQW LED和GaAs MESFET进行单片集成
机译:使用平面多功能外延结构(PME)方法将830 nm的单模AlGaAs光波导与GaAs E / D-MESFET进行单片集成
机译:硅基砷化镓衬底上制造的数字砷化镓E / D MESFET电路的性能
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:AlGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管和GaAs MESFET中热载流子引起的辐射发射
机译:Gaas mEsFET采用单片Gaas / si衬底制造。