Cadmium tellurides; Thin films; Epitaxial growth; Mercury compounds; Alloys; Doping; Field effect transistors; Group iii compounds; Group v compounds; Inversion; Layers; Molecular beams; N type semiconductors; Substrates; Semiconducting films; Heterojunctions;
机译:使用HgTe / CdTe超晶格界面层改善CdZnTe(211)B衬底上HgCdTe的分子束外延生长
机译:使用界面HgTe / CdTe超晶格层在CdZnTe衬底上HgCdTe分子束外延生长的性能和可重复性增强
机译:Hg在CdTe(211)B / Si(211)上的吸附及HgCdTe(211)B的分子束外延生长的原位椭偏研究
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe柔性生长技术,用于制造红外光电探测器
机译:分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
机译:通过分子束外延在Si(111)上掺杂物刺激GaN纳米管状纳米结构的生长
机译:激光分子束外延生长的HgTe和CdTe外延层以及HgTe-CdTe超晶格