Electron transport; Carrier mobility; Heterojunctions; Aluminum gallium arsenides; Gallium arsenides; Quantum electronics; Reprints; Quantum wells; Ion scattering;
机译:In_(0.52)Al_(0.48)As / In_x Ga_(1-x)As一侧调制掺杂的非对称耦合双量子阱中的电子子带研究
机译:n型CdZnTe 2-DEG单量子阱异质结构的光电性能
机译:通过氮气的Meta-pations的电子传输性能和水平分子取向增加“(a) - (n) - (a)(n)”结构化的噻吡啶电子传输材料
机译:In_xGa_(1-x)As / In_yAl_(1-y)As侧调制掺杂的非对称双量子阱中的磁传输,磁光和电子子带研究
机译:通过非平衡电子传输和铝薄膜中非平衡电子的能量动力学对金属多层结构进行成像。
机译:用于低功率低噪声二维电子的能量过滤电子传输结构
机译:图4:AQZ mRNA和蛋白质在外胚层和异常衍生的结构中在胚胎发生中表达,并具有母体贡献。
机译:单侧调制掺杂al(0.33)Ga(0.67)as / Gaas / al(0.33)Ga(0.67)作为单量子阱结构的低温电子传输。 (重新公布新的可用性信息)。