Etching; Gallium arsenides; Chambers; Channels; Concentration(Composition); Damage; Deposition; Dry materials; Electric current; Electron beams; Energy; Epitaxial growth; Impurities; Inert materials; Insulation; Ion beams; Ions; Leakage(Electrical); Lithography; Low ener;
机译:通过等离子干法刻蚀和湿法化学刻蚀相结合的方法制造具有非常光滑和垂直侧壁的GaN基脊形波导
机译:通过金属辅助化学蚀刻自由损坏的光滑侧壁Ingaas纳米玻璃阵列
机译:反应离子刻蚀对4H-SiC沟道MOSFET的沟道侧壁和底部造成的损伤的光电子纳米光谱
机译:迈向垂直且无损伤的InGaAs鳍片轮廓:干法蚀刻工艺,侧壁损伤评估和缓解方案
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:用于制造直径小于20 nm的垂直纳米线阵列的SiGe新型干法选择各向同性原子层蚀刻。
机译:(受邀)针对垂直和无损伤的蚀刻后InGaas鳍片轮廓:干蚀刻处理,侧壁损伤评估和缓解选项
机译:离子种类和吸附气体对Gaas干蚀刻致损伤的影响